TOSHIBA LEMAGE


Référence : TK09H90A

ETA : Nouveau 

Caractéristiques techniques

  • Type de transistor : N-Channel

  • Tension de drain-source (Vds) : 900V

  • Courant de drain (Id) : 9A

  • Résistance à l’état passant (Rds(on)) : 1.3Ω typique

  • Tension grille-source max (Vgs) : ±30V

  • Boîtier : TO-247 (trou de fixation pour dissipateur)

  • Température de fonctionnement max : 150°C

  • Applications : alimentation industrielle, circuits de puissance, onduleurs

 

43,00 DHs

Compare

Le TK09H90A est un MOSFET de puissance canal N conçu pour les applications nécessitant une commutation rapide à haute tension. Il est particulièrement utilisé dans les alimentations à découpage, convertisseurs de puissance, et équipements industriels haute performance

UGS : A.1.239 Catégorie :

Avantages

  • Haute tenue en tension (900V)

  • Courant élevé (9A) avec bonne efficacité thermique

  • Compatible avec dissipateur pour dissipation thermique

  • Commutation rapide pour alimentation à découpage

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